Новая память предназначена для использования в карточках стандарта Secure Digital (SD), а также во встраиваемых решениях на базе флеш-памяти. Сообщается, что чипы NAND памяти с многоуровневыми ячейками (MLC), обладающие плотностью в 32 Гбит и производимые по передовой 20 нм технологии, позволят увеличить емкость выпускаемых Samsung карт памяти для мобильных телефонов, а также высококлассных IT продуктов и высокопроизводительных карт памяти. Последние применяются, к примеру, в зеркальных фотокамерах.

Известно, что память MLC NAND от Samsung, соответствующая нормам 20 нм класса, обладает на 50 процентов большей производительностью, чем аналогичные решения 30 нм класса. К примеру, быстродействие SD карты емкостью 8 Гб, созданной на базе 20 нм памяти, на 30 процентов выше, чем у продукта на основе 30 нм памяти. Новые SD карты способны обеспечить скорость чтения и записи данных в 20 и 10 Мб/с соответственно, что дает им возможность претендовать на рейтинг Class 10. Первые образцы таких карт уже отгружаются заказчикам, а массовое производство начнется до конца 2010 года.