IBM нашла относительно недорогой способ объединения на одной кремниевой пластине электрических и оптических компонентов. Это в перспективе позволит чипам взаимодействовать друг с другом при помощи световых импульсов, а не электрических сигналов, как сейчас. В результате становится возможным резкое увеличение пропускной способности каналов связи.

Технология IBM получила название CMOS Integrated Silicon Nanophotonics — интегрированная кремниевая нанофотоника на базе КМОП. Она основывается на стандартной методике изготовления микросхем на КМОП-структурах и позволяет формировать на кремниевой пластине такие элементы, как модуляторы, германиевые фотодетекторы и мультиплексоры с разделением по длине волны.

Технология, как отмечается, обеспечивает возможность получения одночиповых трансиверов размером 4×4 мм, способных обрабатывать данные со скоростью свыше терабита в секунду.

По оценкам IBM, революционное достижение позволит создать вычислительный комплекс с экзафлопсной производительностью к 2020 году.