Южнокорейский производитель объявил о разработке модуля памяти типа RDIMM (registered dual inline memory module) на основе Green DDR3 DRAM, чья емкость составляет 8 ГБ. При создании данного модуля применялась технология компоновки микросхем с формированием многослойных трехмерных конструкций и методика TSV (Through-Silicon Via, сквозные соединения через кремний).

Указанная технология позволяет располагать компоненты микрочипа гораздо ближе друг к другу, тем самым повышая емкость и производительность готового решения без увеличения его габаритов. Кроме того, при использовании такой технологии компоновки снижается энергопотребление. Не случайно новый модуль Green DDR3 RDIMM на 8 ГБ, по данным разработчиков, потребляет на 40 процентов меньше энергии, чем существующая стандартная RDIMM память.

Очевидно, использование подобных модулей позволит еще более повысить энергоэффективность будущих серверных систем. Отметим также, что применение методики Through-Silicon Via позволяет выпускать память с более высокой плотностью (заявленный рост плотности равняется 50 процентам). По прогнозам Samsung, широкое внедрение упомянутых выше технологических разработок ожидается в 2012 году.